檢索結果：共24筆資料 檢索策略： "快閃記憶體".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="謝仁偉"
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當快閃記憶體容量日漸增加的同時，如何有效率的管理整個快閃記憶體儲存系統變成一個重要的議題。而主要的挑戰在於，如何在效率與成本(指管理整個快閃記憶體系統所需要的內部記憶體的多寡)之間取得一個平衡。雖然…
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由於低耗電,非揮發性,高效能,穩定及高可攜性等特性,NAND 型快閃記憶體已成為各種嵌入式系統與消費性電子產品的主要儲存媒介之一.NAND 型快閃記憶體又可區分為單級單元型 (Single-Leve…
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
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During the last decade, Solid State Drives (SSDs) which are composed of multiple NAND flash chips a…
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為了增加MLC flash memory的整體效能，會把SSD 中一部分的MLC block 轉換成pseudo SLC block，能讓這些block 能夠有一般SLC block的效能，因為此時…
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With the increasing demand for high speed storage device, the NAND flash has gained a broad market …
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目前SSD技術發展越來越成熟，隨著容量逐漸的增加，而價格也越來低廉，比起一般Hard Disk讀取和寫入速度快出許多，因此對於未來儲存體的技術，想必會造成很大的影響。但SSD相對遭遇到壽命長短的問題…
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Due to the strong demand in the market for the growth of massive storage capacity, the density of N…